| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2022년 봄 (04/20 ~ 04/23, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 28권 1호, p.867 |
| 발표분야 | [주제 4] 탄소중립(CCUS) |
| 제목 | Etching of SiO2 in an inductively coupled plasma using hexafluoroisopropanol |
| 초록 | 플라즈마 식각에 사용되는 perfluorocompound (PFC) 물질들은 지구온난화지수 (global warming potential, GWP)가 높고 대기 중 생존 기간이 길어 지구 온난화를 초래한다. 국가 온실가스 인벤토리 보고서에 따르면 PFC 물질의 사용량은 해마다 꾸준히 증가하고 있다. 지구 온난화가 사회적인 문제로 떠오르면서 PFC의 사용량을 줄이고, 이를 대체하기 위해 GWP가 낮은 fluoro-alcohol, fluoro-ether 등의 물질을 이용한 식각 공정 개발이 진행되고 있다. 본 연구에서는 fluoro-alcohol인 hexafluoroisopropanol (HFIP)를 이용해 SiO2 contact hole을 식각하였다. Bias voltage에 따른 etch profile을 비교하고, 식각 후 SiO2 시편 위에 형성된 정상상태 불화탄소막과 이온의 입사 각도에 따른 식각 속도의 변화를 분석하여 contact hole 식각 메커니즘을 규명하였다. |
| 저자 | 이유종, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 재료(Materials) |
| 원문파일 | 초록 보기 |
