| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (10/29 ~ 10/30, 호서대학교(아산캠퍼스)) |
| 권호 | 8권 2호 |
| 발표분야 | 정보,전자소재 |
| 제목 | TFT-LCD용 Polyimide계 층간 절연막 재료 |
| 초록 | TFT (Thin film transistor)는 TFT-LCD의 스위칭 기능을 담당하는 중요한 소자이며 그 구조는 보통 gate전극, data 전극 (source 전극, drain 전극), gate insulator, active layer, ohmic layer, a-Si, PVX (passivation)으로 이루어져 있다. 이 중 TFT 소자를 보호하는 역할을 하는 passivation층으로는 현재 Benzocyclobutane (BCB)가 사용되고 있으나, 열경화 공정으로 진행되어 생산성이 낮고, 해상도가 낮으며, Dry Etch 등 제약이 많이 있어 공정적용에 한계를 가지고 있다. 이런 단점을 보완하기 위해서 photo process가 가능하고, 높은 수율을 낼 수 있는 공정소재에 대한 연구가 국내외 안팍에서 진행되고 있다. 특히, High Resolution(고해상도), High Yield(고수율), 적용성이 우수한 TFT-LCD Array용 박막소재에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 TFT-LCD array용 층간절연막에 요구되는 성질인 내열성, 저유전율, 고투과도의 positive형 polyimide 분자 구조 설계 및 합성을 실시하고 이의 광학적, 유변학적 특성을 평가하였다. 또한, 형성된 절연막의 indium tin oxide (ITO) via (hole)를 위한 photolithographic 공정을 위한 photo active compound (PAC)의 분자 구조 설계 및 합성을 하였으며 공정 특성을 평가하였다. |
| 저자 | 김정무1, 박이순1, 권영환2, 한윤수1, 김상우1, 한영아1 |
| 소속 | 1경북대, 2대구대 |
| 키워드 | 절연막; passivation; polyimide |
