| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | ALD법을 이용한 ZnO박막 성장시 증착온도에 따른 박막의 구조적 특성변화 |
| 초록 | ZnO 는 상온에서 약 3.3 eV 정도의 넓은 띠간격 (band gap) 에너지를 갖는 n형 반도체로 Zn 원자와 O 원자 간의 비화학양론적 (nonstoichiometric) 결합으로 인해 전기 전도성을 나타내며 가시광 영역에서 80 % 이상의 광 투과도를 가지고 있다. ZnO 의 우수한 전기적, 광학적 특성은 포토다이오드 (photo diode), 태양전지 (solar cell), 디스플레이 소자의 전극, 표면 탄성 과 소자 및 가스센서 (gas sensor) 등 산업에 광범위하게 응용되고 있다. 본 연구에서는 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 이용하여 ZnO 박막을 30~300℃까지 온도별로 증착하였으며, ZnO 박막이 온도에 따라 우선배향성의 변화를 관찰하였다. ZnO 박막의 우선배향성은 XRD(X-Ray Diffractrometry) 측정을 통해 결정구조 및 방향성을 확인한 결과 실험 온도 범위인 30~300℃에서 우선배향성이 5가지로 나뉘게 됨을 알 수 있었으며, SEM(Scanning Electron Microscopy)측정을 통해 박막의 우선배향성에 따른 미세구조를 관찰하였다. |
| 저자 | 장삼석1, 허재성1, 김범준1, 진정근2, 변동진1 |
| 소속 | 1고려대, 2한국광기술원 |
| 키워드 | ZnO; 우선배향성; ALD |
