| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 승화법에 의한 ZnSe 단결정 성장과 특성 |
| 초록 | reservoir를 사용하여 성장관의 압력을 조정하는 승화법으로 성장한 ZnSe 단결정에 대한 온도 의존성에 의한 광전류(photocurrent)를 측정한 결과, ZnSe의 온도 의존성에 의한 에너지 띠 간격 Eg(T)는 Eg(T) = 2.808-8.69×10-4의로 표현 되어지고 Δo는 0.42eV임을 알수 있었다. 온도 의존성에 의한 광발광(Photoluminescence) 측정결과, 에너지 띠 간격 근처의 발광 봉우리가 100K 미만에서는 exciton에 기인하는 발광 현상이고 100K 이상에서는 band to band 전이에 기인하는 발광 현상임을 알수 있었다. 그리고 SA에 의한 발광은 배위좌표 모형으로 분석한 결과, 열소광 활성화 에너지 ΔE는 0.0191 eV이었고, 는 0.0314 eV로 LO-포논 에너지 정도임을 알 수 있었다. |
| 저자 | 홍명석, 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | 승화법; ZnSe 단결정; 에너지 띠 간격; 광발광(Photoluminescence); 열소광 활성화 에너지 |
