| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
Growth Mechanism Study of MoS2 Nanosheets Grown by Two Step Deposition Using PVD and CVD Methods |
| 초록 |
MoS2 박막의 단계별 성장 과정을 수차보정 및 고분해능 투과전자현미경으로 측정하였다. 본 연구에서는 박막의 두께를 원자 수준으로 제어하고, 대면적에서의 균일한 박막의 특성을 얻기 위하여 마그네트론 스퍼터링 (PVD)으로 1차 성장한 후 화학적기상증착방법 (CVD)을 이용하여 연속적인 2차 성장을 진행하였다. 그 결과로 SiO2/Si 기판 상에서 성장된 박막은 스퍼터링 공정의 시간 변화에 따라 0.72nm의 단일 층에서부터 12.69nm의 다층 구조를 형성함을 확인하였다. 초기 과정에서 MoS2 박막은 (002) 결정 면이 기판과 평행한 방향성을 가지고 성장하였으나, 이후 후속 공정과정을 통하여 밴딩 된 라멜라 구조는 결과적으로 기판과의 수직 방향으로 형성되는 것을 확인하였다. 이에 본 연구에서는 Mo의 밀도와 결정화도가 MoS2 박막의 결정성장에 미치는 영향을 미세구조 및 분광학 측정을 통하여 설명하였다. |
| 저자 |
이원기1, 황준연1, Jesse Smith2, 최원봉2
|
| 소속 |
1한국과학기술(연), 2Department of Materials Science and Engineering. Univ. of North Texas |
| 키워드 |
MoS2; PIPS; Growth mechanism; Nucleation; Crystallization
|
| E-Mail |
|
