| 초록 |
기존 전자소자의 데이터 처리 한계를 극복하기 위해 개발되는 포토닉스 소자의 경우, 뛰어난 광학적 비선형성과 전기적 성질을 동시에 지닌 그래핀의 도입으로써 그 성능의 월등한 개선이 가능하게 된다. 그러나 대부분의 포토닉스 소자는 평평한 2차원 표면보다는 복잡한 형태의 3차원 표면으로 이루어지게 되고, 이 3차원 표면에 그래핀을 컨퍼멀(conformal)하게 코팅하는 것은 쉽지 않은 기술이다. 가장 일반적으로 사용되는 그래핀 전사(transfer) 기술의 경우, 소자의 일부분만을 코팅하게 되어 나노소재와 레이저의 상호작용 극대화가 어려워질 뿐 아니라, 공정상 불순물의 유입이나 결정의 변형 및 손실 등이 발생하여 실제 포토닉스 소자 적용에 한계가 있게 된다. 본 강연에서는, 3차원 임의의 소자 표면을 따라 그래핀을 직접 성장할 수 있는 새로운 그래핀의 공정 (ACS 그래핀 합성 공정)을 소개하고, 해당 공정에 의해 합성된 그래핀의 분석 결과를 논의 한다. 또한, 성공적으로 합성된 그래핀을 초고속 포토닉스 소자에 적용하여 광학적 비선형성이 유지됨을 증명하고, 최근 도출된 광학적 비선형 소자들에 대해 동작 특성을 설명하고자 한다. |
