| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 | 15권 2호 |
| 발표분야 | C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 | DC 스퍼터링 방법으로 증착시킨 Al 박막의 열처리조건에 따른 전기적 특성 |
| 초록 | 이 연구에서는 DC 스퍼터링 방법으로 p-Si(100)기판 위에 Al 박막을 형성하고 열처리 조건에 따른 전기적 특성을 조사하였다. Al 박막은 작업진공도 3 mTorr에서 기판과 Al 타켓 사이의 거리를 90 mm로 유지하고, DC power를 300W로 인가하면서 10분 동안 유지하여 0.1 ㎛의 두께로 증착하였다. Al 박막의 열처리는 수평형 전기로에서 질소가스를 1 SLM으로 공급하면서 열처리 온도와 시간을 각각 500~570℃와 10~120 분의 범위에서 실시하였다. 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였고, Al의 농도분포와 확산깊이는 SIMS 분석으로 확인하였다. Al 박막의 면저항은 열처리 온도가 500℃에서 570℃로 증가함에 따라 284 mΩ에서 282 mΩ으로 감소하였으며, 열처리 시간이 10 분에서 120분으로 증가함에 따라 289 mΩ에서 271 mΩ으로 감소하였다. 550℃의 온도에서 10분 동안 열처리된 시료에 대한 SIMS 분석 결과 확산된 Al의 표면농도는 1022 atoms/cc이었고, Al의 확산깊이는 1.5㎛ 이었다. |
| 저자 | 김덕엽1, 이경한2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | DC 스퍼터링; Al 박막; 실리콘; 확산; SIMS 분석 |
