| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | B. 나노재료(Nanomaterials) |
| 제목 | 양자구조를 이용한 고출력 레이저 칩 개발 |
| 초록 | 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470nm인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핌용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 본 연구는 Molercular beam epitaxy를 이용하여 808nm 대역 high power AlGaAs / GaAs quantum well laser diodes(QWLD) 성장을 하고 특성분석 하였다. 우선 high power LD에 적용 가능한 양질의 AlGaAs/GaAs QW의 성장을 위해 N-GaAs 기판 위에 AlGaAs 10nm와 GaAs 7nm를 10주기로 반복하여 성장한 후 Photo luminescence를 이용한 광학적 특성을 측정하여 그 가능성을 보였다. 특성 분석 결과 808nm 파장대역을 갖는 최적화 된 AlGaAs / GaAs QW이 성장 됨을 확인 하였다. 또한 barrier 및 cladding 구조 및 두께 변화 등의 LD 성장 조건 변화를 시도하였다. conventional LD 구조를 가지고 있으나, insulating QW barrier 부분을 1.6 μm로 두껍게 성장하여 되도록 많은 수의 carrier들을 구속할 수 있도록 하였다. 최적화된 구조로 성장된 QWLD의 전기적 특성을 측정하여 high power LD로의 기능을 확인 하였다. |
| 저자 | 박성준1, 오현지2, 김민태2, 김호성2, 송진동2, 최원준2, 명재민2 |
| 소속 | 1연세대, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 | MBE; AlGaAs/GaAs quantum well |
