| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
CCP (Capacitively Coupled Plasma)-type Reactor에서 VHF (Very High Frequency) Generator를 이용한 ACL (Amorphous Carbon Layer)에 관한 식각 특성연구 |
| 초록 |
메모리의 용량을 증가하기 위하여 Design Rule을 감소하여 왔으나 10nm 이하에서 한계에 도달하였다. 구조를 3차원으로 변경하여 제품들이 개발되고 있으며 Design Rule이 아닌 적층의 수로 집적도를 대표하는 시대가 오고 있다. 3차원 적층 메모리는 적층의 수를 증가하여 용량을 쉽게 늘릴 수 있으나 상, 하단을 연결하여야 하는 컨택 공정의 난이도가 증가하였고 특히 적층 막질 및 ARL (Anti Reflection Layer, SiON)에 대한 선택 비를 확보할 수 있는 새로운 하드마스크를 찾아야 하는 어려움이 있다. ACL마스크는 ARL과의 선택 비를 높일 수 있고 광학 투과성이 높으며 제거가 용이하여 가능성이 가장 높은 후보 재료이지만 이종의 적층 막질을 제거하는 공정에서는 선택 비를 확보해야 하는 문제점을 안고 있다. 그러나 양산적용이 가능한 새로운 하드마스크 재료는 개발 중이기에 1um이상의 두꺼운 ACL을 사용해야 할 것으로 보이며 이에 대응 가능한 식각 공정의 개발이 필요하다. 본 연구는 CCP type Plasma Reactor에서 Very High Frequency Source Power를 적용한 ACL 식각공정 평가를 진행하였고 기존 공정대비 분당 식각속도 350%, ARL과의 선택 비를 320% 개선한 결과를 얻었다. |
| 저자 |
권용현1, 신경섭1, 황기현1, 염근영2
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| 소속 |
1삼성전자, 2성균관대 |
| 키워드 |
ACL; CCP; VHF
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