| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 | 23권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | HARC 식각을 위한 pulsed triple frequency 효과에 대한 연구 |
| 초록 | 현재 나노미터 급의 초미세 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 식각공정에서 contact hole 및 데이터를 저장하는 capacitor cell 의 aspect ratio (depth/hole diameter)는 한계에 직면하고 있으나 고집적화에 대한 요구는 여전히 증가하고 있다. 따라서 capacitor와 capacitor의 간격이 수십 나노에 불과한 상태에서 DRAM 소자 동작에 요구되는 안정적인 셀 특성 확보 및 capacitor의 유효표면적을 늘리는 등의 정전용량 확보를 위한 많은 노력이 진행중에 있다. 본 연구에서는 초미세 contact hole 및 capacitor 식각 시 발생하는 pattern 왜곡 및 무너짐, 전하 불균형으로 발생하는 식각 damage, aspect ratio 한계 개선을 위해 pulse 를 인가한 상태의 60 MHz (source frequency) / 13.56 MHz (bias frequency) / 2 MHz (bias frequency) 를 사용함으로써 pulsed triple frequency가 SiO2 의 식각 profile에 미치는 영향을 연구하였다. 또한 pulse frequency는 1 kHz 로 유지한 상태에서 pulse duty ratio를 조절하여 C4F6 가스의 fluorocarbon polymer 형성 및 CFx/F 비율을 조절함으로써 ACL(Amorphous Carbon Layer) 마스크 대비 SiO2 의 etch selectivity 를 개선시키고자 하였다. |
| 저자 | 양경채, 김수강, 이호석, 성다인, 염근영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | pulsing; HARC; DRAM |
