| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (10/27 ~ 10/29, 광주 김대중컨벤션센터) |
| 권호 | 27권 2호, p.1974 |
| 발표분야 | 이동현상 |
| 제목 | Angular dependence of SiO2 etch rates in hydrofluoroalcohol-containing plasmas |
| 초록 | CF4, C2F6 등의 perfluorocompound (PFC) 가스로 방전시킨 플라즈마는 주로 SiO2 식각에 사용된다. 그러나 PFC 가스는 global warming potential (GWP)이 높고 대기 중 생존 시간이 길어 환경에 유해하다. 그래서 GWP가 낮은 물질로 식각공정을 대체하기 위해 많은 연구가 진행 중이다. 여러 후보 물질 중 hydrofluoroalcohol은 GWP가 낮고 대기 중 생존 시간이 짧으며 구조상 산소를 포함하여 식각 시 산소를 필수적으로 첨가하지 않아도 된다는 장점이 있다. 예를 들어, hydrofluoroalcohol 중 하나인 hexafluoroisopropanol (HFIP)의 GWP는 ~190으로 PFC보다 낮다. 본 연구에서는 HFIP 플라즈마를 사용하여 source power, gas composition 그리고 bias voltage 변화에 따른 SiO2의 etch rate를 측정하였다. 또한 SiO2의 etch rate, 이온의 입사각도에 따른 식각속도 각도의존성, SiO2 표면에 형성된 정상상태 불화탄소 박막의 두께 및 F/C ratio 변화를 분석하여 식각 특성을 설명하였다. |
| 저자 | 선은재, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 이동현상 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
