| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 |
15권 2호 |
| 발표분야 |
C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 |
Atomic Layer Deposition을 통한 Al2O3 박막의 passivation |
| 초록 |
실리콘 태양전지의 효율 향상을 위한 노력의 일환으로 결정질 실리콘 웨이퍼 표면 passivation 물질 중 Atomic Layer Deposition (ALD)을 이용하여 증착한 Al2O3 박막에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 Al2O3 박막의 증착 전 실리콘 웨이퍼의 산화막 두께에 따른 passivation 효과에 대해서 연구하였다. 실리콘 산화막은 HNO3 용액을 사용하여 화학적으로 생성시켰으며 HNO3 용액과의 반응 시간과 온도를 조절하여 실리콘 산화막의 두께를 조절하였다. 실리콘 산화막 생성 후 ALD로 Al2O3 박막을 증착하였으며 증착 후 N2 분위기에서 annealing 하였다. Annealing 후 passivation 효과는 Quasi-Steady-State Photo Conductance를 사용하여 minority carrier의 lifetime을 측정하였다. Capacitance-Voltage measurement, Ellipsometry를 사용하여 실리콘 산화막의 두께에 따른 Al2O3 박막의 passivation 효과를 분석하였다. |
| 저자 |
김영도1, 김동환1, 박성은1, 송주용1, 탁성주1, 강민구1, 권순우2, 윤세왕2
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| 소속 |
1고려대, 2대한제당 중앙(연) |
| 키워드 |
Atomic later deposition; Al2O3; Silicon solar cell; passivation
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