| 초록 |
현재 IC의 기능성이 높아짐에 따라 IC회로는 복잡해지고 있고, 반도체 칩이 소형화, 고집적화, 고성능화에됨에 따라 패키지 기술의 발전이 요구되고 있다. 일반적으로, IC bonding 패드 물질로 알루미늄(Al)을 가장 많이 사용하고, solder bump를 이 Al 패드 위에 올릴 때, 하부 금속층 형성을 위해 니켈 도금박막을 형성하고 있다. 산화되지 않은 Al은 무전해 니켈도금에 대해 반응을 일으켜 박막형성이 가능하지만, 산화가 잘되는 Al 특성상 표면에 형성된 산화층이 니켈의 도금형성을 방해하게 된다. 따라서, Al 표면을 활성화 시키고 접착력을 향상시키기 위해 주로 zincation법을 활용하고 있다. 하지만 Zincation 처리 중 발생되는 근본적 문제점들로 인하여 Al 패드와 니켈 도금층과의 접착력 향상에 한계가 있어, 이를 해결하기 위한 연구가 꾸준히 진행되고 있다. 본 연구에서는 일반적 질산기반의 zincation 처리에서 발생되는 문제를 해결하고자, 황산기반의 zincation 처리법을 시도하였다. 황산기반으로 zincation 처리한 Al 표면을 질산기반의 zincation 처리한 Al표면과 비교 분석 하였다. 표면처리한 Al의 표면의 특성 분석을 광학현미경(Optical Microscope), FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope) 등을 사용하여 표면의 결함 및 미세구조를 측정하고 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 zincation 처리에 의한 Al 표면에 남아있는 불순물 등의 조성비 변화를 측정하였다. 본연구는 교육과학기술부와 한국연구재단의 지역혁신인력양성사업과 나노팹시설활용지원사업으로 수행된 ㅇ연구결과이다. |
