| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 |
21권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 |
Adhesion strength properties of Au bump formed on the Si wafer |
| 초록 |
본 연구에서 Chip on glass(COG) package 적용을 위한 Au bump를 도금 공정하여 Si wafer 위에 TiW/Au 구조를 갖는 범프 시료를 제작 하였다. TiW 박막을 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착 하였다. 스퍼터링되는 속도는 스퍼터링 타겟에 충돌하는 이온의 개수 및 충돌 에너지와 스퍼터링 수율에 의하여 결정된다. 이온 에너지는 전압에 의존하기 때문에 결국 스퍼터링 속도는 sheath 전압에 의존하게 된다. 따라서 스퍼터링 입력 파워 500, 1000, 1500, 2500, 4000, 5000 Watt로 변화 시켜 증착하였다. 이 결과에 따라서 wafer의 안정된 계면 접착력을 나타내는 스퍼터링 파워는 1500Watt임을 확인 할 수 있었고, 또한 광학현미경과 SAICAS (surface and interfacial cutting analysis system) 장비로 Au bump의 접착력을 조사하였다. Si wafer의 하부 박막인 Al 금속과 SiN 비금속 박막에서의 접착력 차이가 약 2배 크게 나타났다. |
| 저자 |
장호정1, 김현식2, 김지묵1, 조양근1, 이상희1
|
| 소속 |
1단국대, 2(주)태미세미콘 |
| 키워드 |
COG; Au bump; Sputtering; SAICAS
|
| E-Mail |
|
