| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 |
18권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
결정질 실리콘 태양전지의 도핑 공정에서 O2와 POCl3의 가스비에 따른 PSG(Phosphorous silicate glass) 특성 분석 |
| 초록 |
P형 결정질 실리콘 태양전지 제작과정에서 p-n 접합을 형성하는 확산 공정은 일반적으로 POCl3을 diffusion source로 이용하여 확산로에서 진행된다. 확산공정은 도핑 소스를 공급하는 pre-deposition과 고온에서 확산을 진행하는 drive-in 단계로 구성된다. 본 연구에서는 pre-deposition단계에서 주입되는 O2와 POCl3 주입량을 변화시키면서 PSG (phosphorus silicate glass)의 특성 변화를 관찰하였다. PSG 층의 특성은 확산 공정 후 active phophorous와 inactive phophorous의 농도를 결정하기 때문에 고효율 결정질 실리콘 태양전지를 제작하기 위해서 최적화할 필요가 있다. 일반적으로 에미터 층에서 일어나는 재결합에 영향을 주는 물리적인 요소로는 표면 재결합과 벌크 에미터층에서 캐리어의 수명이 있다. 이를 최소화하기 위해 결정질 실리콘 기판 표면에서의 active phosphorous이온과 inactive phosphorous이온의 적절한 비율을 찾아야 한다. 결정질 실리콘 태양전지에서 표면에 도포된 도펀트(P) 조건을 최적화 함으로써 표면재결합을 줄여 개방전압과 효율을 향상시킬 수 있다. 태양전지 표면에서의 도펀트 농도는 SIMS와 ECV로 측정, 분석되었다. |
| 저자 |
이희준1, 정경택2, 송희은3, 명재민1
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| 소속 |
1연세대, 2전북대, 3한국 에너지 기술 (연) |
| 키워드 |
c-Si solar cell; Phosphorus; pre-deposition; PSG
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