| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (10/15 ~ 10/16, 서울산업대학교 내 서울테크노파크) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 무기재료(포스터) |
| 제목 | CFR법과 thermal evaporation에 의한 실리콘 기판에 H2S 가스센서용 ZnO 박막 및 nano-rod 에피성장 |
| 초록 | 본 연구에서는 가스센서로 활용하기 위해 실리콘 기판 위에 ZnO 박막과 ZnO nano-rod성장을 하였으며, 이에 대한 H2S 가스 감응에 대해 조사되었다. 먼저 ZnO 박막은 CFR (continuous flow reactor)법에 의해 실리콘 기판위에서 성장되었다. 이 때 소성온도를 400-700℃로 조절하여 ZnO 박막을 성장시켰다. 소성조건을 달리하여 성장된 ZnO 박막위에 활성탄에 ZnO의 전구물질을 담지시켜, 제조한 Zn 40 wt% 전구물질을 이용하여 ZnO nano-rod를 에피 성장하였다.이러한 조건에 의해 성장된 각각의 ZnO 박막은 소성온도에 따라 I-V curve 기울기가 다르게 나타났고, 0.5 ppmv H2S의 가스특성 분석에서도 마찬가지로 소성온도에 따라 다른 감도의 결과를 얻을 수 있었다. 본 연구에서는 CFR법에 의해서 성장된 ZnO 박막의 소성온도 변화에 따라 어떤 차이점을 지니는지 조사되었다. |
| 저자 | 이선이, 이태진, 박노국, 윤석훈 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | CFR; ZnO 박막; H2S |
