화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트)
권호 11권 1호
발표분야 반도체재료
제목 CdIn2Te4 단결정 성장과 점결함 연구
초록 CdIn2Te4 단결정을 Bridgeman법으로 3단 수직 전기로에서 성장하였다. 성장된 결정의 결정성은 x선 회절과 광발광 측정으로 조사하였다. 막 성장된(as-grown) 결정과 여러 열처리 CdIn2Te4 결정들의 광발광 스펙트럼 측정으로부터 CdIn2Te4:Cd 광발광에서는 중성 주개 bound 엑시톤 (Do,X)가 우세함을 발견하였고 반면에 CdIn2Te4:Cd 광발광에서는 중성 받개 bound 엑시톤 (Ao,X)가 완전히 사라졌다. 더우기, CdIn2Te4:Te의 광발광 스펙트럼에서 중성 받개 bound 엑시톤 (Ao,X) 발광은 막 성장된 CdIn2Te4 결정에서처럼 우세하였다. 이러한 결과들은 (Do,X)가 주개로써 작용하는 VTe와 관련이 있고, (Ao,X)는 받개로 작용하는 VCd와 관련이 있음을 가리킨다. CdIn2Te4 결정은 Cd 증기 분위기에서 열처리한 후에는 n형으로 type conversion이 된다는 것을 알았다. 중성 주개-받개 bound 엑시톤 (Do,Ao)과 이들의 TO 포논 복제의 발광은 VTe나 Cdint와 같은 주개들과 VCd 또는 Teint와 같은 받개들 사이의 상호 작용과 관련이 있다. 또한, CdIn2Te4에서 In은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.
저자 홍광준, 윤석진
소속 조선대
키워드 CdIn2Te4 단결정; 중성 받개 bound 엑시톤 (Ao; X); 주개-받개 bound 엑시톤 (Do; Ao); 광발광 측정;
E-Mail