| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Nanoimprint Lithography 기술과 Reactive ion etcing 기술을 이용한 수십 나노급 상변화 물질 패턴 형성 연구 |
| 초록 | 상변화 메모리 (Phase-change Random Access Memory, PRAM)는 상변화 물질의 가역적인 상전이를 이용하여 데이터를 저장하는 비 휘발성 메모리로 일반적으로 사용되는 flash memory에 비하여 스위칭 속도가 빠르고, 프로그래밍 에너지의 소모가 적으며, 센싱 마진이 크다는 장점을 가지고 있다. 현재 많은 연구 그룹에서 PRAM에 사용하기 위한 상변화 물질과, 전극 물질에 대하여 연구하고 있으며, 또한 공정 기술 개발을 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 일반적으로 PRAM에서 상변화 물질로 사용되는 GST225 (Ge2Sb2Te5) 나노 구조물을 제작하기 위한 나노 식각 공정에 대하여 연구를 진행하였다. 먼저 GST225를 RF sputtering을 이용하여 SiO2/Si wafer에 200nm 증착한 후, 차세대 리소그래피 기술로써 각광 받고 있는 나노 임프린트 리소그래피 기술을 이용하여 sub-100nm 크기의 고분자 패턴을 제작하였다. 이후 ICP etcher를 이용하여 Cl2/Ar plasma로 GST225를 식각 하여 GST 패턴을 형성하였고, 결정질-GST225와 비정질-GST225 각각에 대한 식각비를 분석하였다. |
| 저자 | 양기연, 김종우, 홍성훈, 이헌 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | PRAM; nanoimprint lithography; reactive ion etching; GST225 |
