| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 | GaN의 건식식각 및 열처리에 따른 전기·광학적 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 MOCVD 법으로 사파이어 기판 위에 성장시킨 GaN를 Cl2/Ar가스를 사용한 건식식각 특성과 식각 후 급속열처리에 따른 전기적·광학적 특성을 조사하였다. GaN의 식각속도는 Cl2의 조성에 크게 의존하였으며 RF power에 따라 증가하였다. 또한 RF power가 100 W이고, 챔버압력 5 mTorr, Cl2/Ar의 비가 10/25 sccm 일 때 가장 낮은 표면거칠기를 나타내었다. 또한 식각 후 급속열처리는 N2 분위기에서 300-850 ℃ 범위에서 이루어졌으며, 700-800 ℃ 의 범위에서는 표면거칠기와 비저항, free exciton에 의한 발광강도가 향상되는 특성을 보였다. 그러나 800 ℃ 이상의 온도에서는 GaN 분해로 인해 표면 특성이 저하되는 현상을 나타내었다. |
| 저자 | 송창호1, 김준2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | GaN; Dry etch; Cl2/Ar |
