| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/09 ~ 05/10, 한양대학교(안산)) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | Behavior of the potential and current density during electrodeposition of CoWP thin films |
| 초록 | 최근 반도체 소자의 고집적화로 인하여 배선의 폭이 현저하게 줄어듦에 따라 기존에 사용되던 Al 대신 Cu가 새로운 상부 배선으로 각광 받고 있다. 하지만 구리배선은 쉽게 산화되고 Si와 SiO2로의 확산이 매우 빠르게 진행되는 단점을 가지고 있어 Cu 배선에 확산 방지막(diffusion barrier)과 산화 보호막(capping layer)을 씌우는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 확산 방지막과 산화 보호막으로서의 특성이 우수한 CoWP를 전기도금을 하여 그 특성에 대해 살펴보았다. 전기도금 공정에서 potentiostatic과 galvanostatic 방법을 사용하여 potential과 current density의 영향에 대해 알아보았다. CoWP 박막의 두께와 조성변화를 관찰하였고, XPS, XRD, SEM로 분석을 하였다. |
| 저자 | 남궁윤미, 김창구, 이혜민 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | CoWP; electrodeposition |
