| 초록 |
Ho이 억셉터로 도핑 된 BaTiO3의 주파수에 따른 dielectric relaxation에 관하여 연구하였다. Ba(Ti1-xHox)O3-0.5x (x=0, 0.005, 0.01)시편 제조를 위한 분말은 Pechini에 의해서 제안된 액상혼합법으로 합성하였다. Dielectric constant와 dielectric loss(tanδ)의 측정온도는 125oC, 150oC, 200oC와 230oC이고, 측정주파수 영역은 20~106Hz였다. Tanδ의 peak은 105Hz이하의 낮은 주파수에서 관찰 되었으며, Ho첨가량이 증가할수록 더 높은 주파수로 이동하였다. Tanδ의 peak주파수의 이동과 온도와의 관계에서 Arrhenius equation을 이용하여 계산된 activation energy(Ea)는 0.47~0.49eV였다. 각 시편에 대하여 고온 전기전도도를 측정한 결과 Ho의 첨가량이 증가 할수록 전기전도도의 최소점이 보다 낮은 산소 분압으로 이동하는 전형적인 억셉터 거동이 확인되었고, 산소빈자리 농도는 증가하였다. |
