| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 | 16권 1호 |
| 발표분야 | G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 | GaOOH로부터 GaN 분말의 합성 (Synthesis of GaN Powders from GaOOH) |
| 초록 | 본 연구에서는 GaOOH 분말을 NH3 가스 분위기에서 열처리하여 GaN 분말을 합성하였다. GaN 분말 합성 시 GaOOH 분말에 B2O3 분말을 첨가하여 열처리 조건에 따른 합성과정을 조사하였다. GaOOH와 B2O3의 몰비는 0∼50% 범위에서 변화시켰고, 열처리 온도와 시간은 각각 300∼1100℃와 30∼240분 범위에서 변화시켰다. 또한 GaOOH와 B2O3 혼합 분말을 SiO2 기판 위에 도포하고 NH3 가스 분위기에서 열처리하여 GaN 후막을 형성하였다. 합성된 GaN 분말과 GaN 후막에 대한 특성을 XRD, SEM 및 PL을 이용하여 조사하였다. GaN 분말은 600℃보다 높은 온도에서 합성되었다. GaOOH 분말에 B2O3의 함유량이 증가함에 따라 GaN의 합성온도가 증가하였고, Ga2O3와 BN이 함께 합성되었다. 합성된 GaN로부터의 PL 스펙트럼은 에너지 밴드갭 부근에서의 발광에 비해 황색 준위로 부터의 발광이 강하게 나타났다. |
| 저자 | 송창호, 김선태, 김준, 변창섭 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | GaOOH; GaN; B2O3 |
