| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | GaOOH와 B2O3 혼합분말의 열처리에 따른 구조적 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 GaOOH 분말에 B2O3를 첨가한 후 NH3 가스 분위기에서 열처리하여 GaN 분말을 합성하였다. GaOOH와 B2O3의 몰비는 0∼50% 범위에서 변화시켰고, 300∼1050℃ 의 온도 범위에서 열처리 시간을 변화시키며 합성하였다. 합성된 GaN 분말에 대한 특성을 SEM, XRD, XPS, FTIR, TGA-DTA 및 PL을 이용하여 조사하였다. 1000℃에서 열처리한 시료의 경우 GaOOH 분말에 B2O3의 함유량이 증가함에 따라 Ga2O3의 상이 증가하였고 GaN의 형성이 억제 되었다. FTIR 측정 결과 560cm-1에서 GaN E1(TO) mode와 B2O3를 첨가한 시료의 경우 790, 1370cm-1에서 h-BN mode가 관찰되었다. 50%의 B2O3를 첨가한 시료의 경우 360-690nm의 PL 백색 발광 특성을 보였다. |
| 저자 | 송창호1, 김준2, 신동휘1, 배남호2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | GaOOH; B2O3; white phosphor |
