| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
Ge(110) 기판의 특성을 이용한 대면적 단결정 그래핀의 CVD합성과 불화 처리 그래핀의 전기적 특성 연구 |
| 초록 |
최근 불화그래핀은 탄소와 불소의 결합을 통한 넓은 밴드 갭과 높은 안정성으로 주목받고 있다. 일반적으로 불화 처리를 비롯한 여러 기능 부여에 필요한 그래핀은 대부분 구리 기판을 사용하여 합성하는데 이는 구리 기판과 CVD를 사용하는 방법이 단층그래핀을 얻는 데 있어서 실험적인 규모에서 가장 합리적이기 때문이다. 하지만 구리를 사용하는 경우 단결정의 그래핀을 형성하더라도 구리와 그래핀의 열팽창 계수 차이에 따른 “나노주름”이 발생하며 이는 그래핀에서 전자이동도를 제한하는 요소로 작용함이 알려져 있다. 최근 Ge의 열팽창계수가 그래핀과 비슷하여 그래핀의 주름을 최소화 할 수 있고, 결정 면에 따라서 대면적의 단결정 그래핀을 합성할 수 있음이 보고됨에 따라 본 실험에서는 Ge(110) 웨이퍼를 사용하여 넓은 면적의 단결정 그래핀을 합성하였다. 또한 XeF2 가스를 이용하여 그래핀을 불화처리하고 이러한 그래핀을 구리 위에서 성장시킨 뒤 다양한 기판 위에 전사한 불화그래핀과 전기적 성질을 비교 분석하였다. |
| 저자 |
고민환, 이상연, 원석재, 서형탁
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| 소속 |
아주대 |
| 키워드 |
Fluorinated graphene; Ge(110); CVD; XeF<SUB>2</SUB>
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