화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트)
권호 15권 1호
발표분야 반도체재료
제목 RF power와 박막 증착 온도 변화에 따른 AZO 박막의 특성 (Properties of AZO thin films deposited with different RF powers and deposition temperatures)
초록 TCO(transparent conductive oxide)는 얇고 편평한 디스플레이와 태양전지의 전극으로 주로 사용되며 디지털기기의 사용 급증과 끊임없이 진보해가는 디스플레이 산업에 발맞추어 연구와 개발이 계속되어 가고 있다.
Wide band gap 물질인 ZnO는 Al, Ga, B 등의 원소를 doping함으로써 carrier concentration 및 hall mobility를 높여주고 환경에 안정적인 외인성 ZnO를 만드는 것으로 기존에 TCO물질로 이용되던ITO에 비해 경제적으로 제작할 수 있다는 장점이 있다. 그 중 AZO는 저온 공정에서 제작이 가능하며, H2분위기에서 안정하고, Al3+ 이온이 Zn2+ 이온을 치환함으로써 전기적 특성을 향상시킨다.
본 연구에서는 RF Sputtering 방법으로 Al이 3 % doping된 AZO single target을 사용하여 RF power와 증착 온도를 변수로 두어 유리 기판 위에 AZO 박막을 증착하였다.  RF power 의한 박막 내 Al 함량의 변화와 증착 온도에 의한 박막의 결정성의 변화에 따른 박막의 특성을 비교 평가 하였다. 또한 후처리 공정을 통해 박막의 전도성을 향상시키고자 하였으며, 이는 공정 분위기 및 온도를 변수로 하여 박막의 특성변화를 관찰하였다.  
AZO 박막의 표면과 두께는 SEM(scanning electron microscope)과 surface profiler를 이용한 분석을 통해 확인하였고 XRD (x-ray diffractometer)를 이용하여 결정학적 특성을 관찰하였으며, Van der Pauw 방법을 이용한 hall 측정을 통해 resistivity, carrier concentration, hall mobility를 분석하였다. 또한 UV-vis를 이용하여 박막의 투과율을 분석하였으며 이를 토대로 투명 전극으로써 활용가능성을 확인하였다.
저자 신범기, 김성연, 이민정, 이태일, 명재민
소속 연세대
키워드 transparent conductive oxides (TCO); AZO; RF sputtering; H2 annealing treatment
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