| 초록 |
실리콘 기반 반도체 소자의 소형화 및 집적화에 따른 누설 전류의 증가와 쇼트 채널 효과를 해결하기 위한 한가지 방안으로 실리콘 대비 전자 이동도가 높은 III-V족 반도체 물질을 채널로 사용하는 것이 제안되었다. InGaAs 는 III-V족 반도체 중에서도 10,000 cm2/V·s수준의 높은 전자 이동도를 가지기 때문에 채널 물질로 적합하다. 본 연구에서는 습식 세정 공정 중의 InGaAs 표면 산화 거동을 규명하기 위하여 APM (NH4OH + H2O2 + H2O), HPM (HCl + H2O2 + H2O) 및 다양한 pH 레벨을 가지는 용액을 이용하여 InGaAs 의 습식 세정 공정에서의 표면 특성 변화를 분석하였다. 용액의 종류 및 농도에 따른 InGaAs의 표면 산화 결합은 X-ray photoelectron spectroscopy로 분석되었고 처리 후 표면 거칠기는 atomic-force microscopy를 이용하여 관찰되었다. 습식 세정 중 InGaAs 반도체 표면에 부착되는 particle 특성은 optical microscope와 zeta potential analyzer를 통하여 분석되었다. InGaAs 반도체의 표면은 염기성인 APM 처리 후 산성인 HPM 처리보다 더 산화되었다. 또한, 용액 내 H2O2를 첨가하였을 때는 InGaAs의 표면 산화 및 식각 속도가 증가함을 확인하였으며, 특히 염기성 용액 내에 H2O2를 첨가할 때 그 영향이 더 큰 것을 확인하였다. 또한, InGaAs 반도체의 표면의 zeta potential은 세정 공정 중의 particle 부착 특성과 밀접한 관련이 있음을 확인하였다. |
