| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
광도전체 두께와 상부 전극면적크기 차이에 의한 HgI2필름의 edge- effect 특성 분석 |
| 초록 |
최근에 광도전체와 형광체를 기반으로 평판형 디지털 방사선 검출기의 상업적으로의 발전가능성이 더욱 많은 관심을 얻고 있디. 평판형 디지털 방사선 검출기를 제작하는 방법에서 크게 직접변환방식과 간접변환방식이 있다. 본 연구는 기존의 직접변환방식에 널리 사용되어 오는 비정질 셀레늄(Amorphous seleinum)기반의 디지털 방사선검출기 보다 높은 신호 및 동작 특성을 가지는 HgI2 물질층을 제작하여 X선 노출시 광도전체의 두께와 인가하는 전기장 형성에 따른 차이점을 알아보기 위한 것이다. 기존의 진공증착법의 두꺼운 대면적 필름제조가 어려운 문제점을 해결하고자 PIB(partical-in-binder)방법을 이용하여 전도성을 가진 ITO (Indium-tin-oxide) 코팅된 유리판에 제작하였다. 다결정 HgI2층을 100μm, 200μm, 300μm의 두께로 3cm×3cm의 크기로 제작하고 Magnetron sputtering system을 사용하여 상부전극을 3cm×3cm, 2cm×2cm, 1cm×1cm의 크기로 각각 다르게 하여 ITO(Indium-tin-oxide) 을 증착 시킨 뒤, X선 노출시 HgI2의 민감도와 암전류, 신호대 잡음비 등을 측정하여 필름의 전기적 검출 특성을 정량적으로 평가하였다. 실험결과로 암전류는 필름의 두께에 따라 변화하는 것을 알 수 있었고, 필름의 크기:형성되는 전기장의 비율이 클수록 더욱 민감도가 상승하였다. I-V테스트는 전류 적분(integration) 모드를 사용하였다. |
| 저자 |
김성헌, 윤민석, 김민우, 김윤석, 김영빈, 김지나, 남상희
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| 소속 |
인제대 |
| 키워드 |
HgI2; PIB; 광도전체; 평판형 디지털 방사선 검출기; X-ray; 전기장
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