| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 |
Gettering 을 이용한 태양전지용 실리콘 기판의 특성 향상 |
| 초록 |
후면접합 태양전지는 전면전극에 의해 발생하는 그림자 손실(shading loss)을 줄인 고효율 태양전지이다. 생성된 반송자가 후면 전극에서 수집되어야 하기 때문의 긴 diffusion length와 소수반송자수명(minority carrier lifetime)을 가져야 한다. 이를 위해서는 표면반송자수명 뿐만 아니라 벌크반송자수명의 증가도 중요하다. 본 연구에서는 n-type c-Si 기판과 p-type c-Si 기판을 이용하여 external gettering 실험을 진행하였다. Gettering 공정은 온도를 변화시키며 POCl3 도핑공정을 사용하였으며, gettering 공정 후 four point probe 로 면저항을 측정, 표면에서의 인(P) 농도를 계산하여 도핑 농도에 따른 gettering 효과를 관찰하였다. Microwave photoconductance (μw-PCD)에서 요오드 패시베이션을 이용하여 bulk에서의 소수반송자수명을 측정하였다. 이 후 light beam induced current 측정을 통해 diffusion length 측정함으로써 gettering에 의한 기판 특성 향상을 관찰하였다. |
| 저자 |
HyoMin Park1, Sung Ju Tark2, Min Gu Kang1, Sungeun Park2, Young Do Kim1, Kwang-Sun Ji2, SooBeom Ahn1, Donghwan Kim2
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| 소속 |
1Department of Materials Science and engineering, 2Korea Univ. |
| 키워드 |
Gettering(게터링); Silicon wafer(실리콘기판); High quality(고품질); bulk lifetime
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