| 초록 |
최근 유무기 하이브리드 페로브스카이트 소재는 태양전지, LED, 광 검출기, 레이저 등 다양한 분야에 활발히 사용되고 있다. 이 물질은 결함 또는 이온의 이동으로 인해 전류-전압 (I-V) 곡선에서 hysteresis를 보이는데, 이러한 hysteresis를 활용하면 메모리 소자로의 응용도 가능하다. 본 연구에서는 유무기 하이브리드 페로브스카이트를 플라스틱 기판 위에 저항변화층으로 사용하여 저항변화 메모리를 구현하였다. ITO 하부 전극이 증착된 PET 기판 위에 저온 용액공정을 이용하여 페로브스카이트 박막을 형성하였다. 용액 공정 시 반용매를 사용하여 균일한 페로브스카이트 박막을 얻을 수 있다. 페로브스카이트 기반 플렉서블 저항변화 메모리 소자는 낮은 전압 (~0.7 V) 에서 구동하고, 기계적 안정성이 좋으며, 굽힌 조건에서 반복성능이 안정하며, 104 초까지 메모리 특성을 유지하였다. 페로브스카이트 소자의 스위칭은 전기장에 의한 요오드화 공공 (iodide vacancy) 필라멘트 형성과 관련 된 것으로 판단된다. 박막에서 할로겐화 이온의 농도에 따른 저항변화 메모리 특성 관찰로 이온의 농도가 저항변화 구동전압과 밀접한 관련이 있다는 것을 확인하였다.
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