| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 가을 (11/07 ~ 11/09, 여수 디오션리조트) |
| 권호 | 24권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Rapid Thermal Process(RTP) 열처리를 통한 스퍼터링 ITZO(Indium-Tin-Zin-Oxide) TFT(Thin Film Transistor) 제작 및 특성 연구 |
| 초록 | 차세대 디스플레이 시장에서 기존의 반도체 재료 특성의 한계를 극복할 수 있는 산화물 반도체 TFT가 각광받고 있다. 그 중 IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)는 활발한 연구를 통해 이미 상용화된 부분이 있다. 하지만 아직 이동도가 10cm2/V·s 정도에 머무르고 있어 대화면, 고해상도 디스플레이를 제작하기 어려움이 있다. 디스플레이가 발전됨에 따라 더 빠른 이동도를 가진 반도체가 필요해지고 멀티레이어를 통한 소자의 이동도 및 신뢰도를 개선하려는 시도가 있는데 그 중 ITZO를 이용한 소자는 이를 가능하게 할 새로운 산화물로 각광받고 있다. 본 실험에서는 SiO₂ 기판 위에 ITZO물질을 스퍼터링 과정을 이용하여 박막을 성장시킨 후 소자의 안정성과 전기적 특성을 향상시키기 위한 열처리 과정의 조건을 변화시켜가며 소자를 제작하고 특성을 평가하였다. |
| 저자 | 맹서현, 김재균 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | Thin film transistor; ITZO; Rapid Thermal Process |
