| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.2229 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 고집적 metal-insulator-metal capacitor를 위한 Ru 전해도금 |
| 초록 | 본 논문에서는 TiN 기판위에 팔라듐으로 표면 전처리를 한 후 Ru 전해도금를 실시한 박막에 대하여 연구하였다. TiN위에 전처리를 하지 않고 직접 Ru 전해도금을 실시할 경우 TiN의 저항과 금속사이의 결합력 차이에 의하여 균일한 박막을 얻기가 어렵다. 그러나 팔 라듐으로 전처리를 실시하면 팔라듐이 Ru 성장의 핵으로 작용하여 균일한 박막을 얻을 수 있다. 이렇게 얻어진 박막은 거의 순수한 Ru이며 약 40nm의 두께를 가지고 35nm의 RMS 거칠기를 가진다. 이와 같은 값은 DRAM 축전기( capacitor )에 적절한 범위의 값들이다. 팔라듐 전처리는 TiN위 Ru을 전해도금 하는데 효과적인 방법임을 알 수 있다. |
| 저자 | 권오중, 김재정 |
| 소속 | 서울대 |
| 키워드 | Ruthenium; Electroplating; Palladium; DRAM |
| , | |
| 원문파일 | 초록 보기 |
