| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2020년 가을 (11/18 ~ 11/20, 휘닉스 제주 섭지코지) |
| 권호 | 26권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 3D NAND 식각 기술에 적용될 신규 L-HFC 식각 기술 연구 |
| 초록 | 반도체 식각 기술에 있어 식각 Dielectric 대비 Mask 물질의 높은 식각 선택비와 빠른 식각 속도를 나타내기 위하여 점차 기존 식각가스가 아닌 대체 식각물질을 이용한 식각에 대한 연구가 더욱 중요해 지고 있다. 특히나 3D NAND 식각 공정의 경우 Oxide와 Nitride의 두 가지 종류의 Dielectric 물질이 연속된 박막에 대한 식각성능에 대한 요구가 동시에 필요로 한다. 이를 위하여 H가 포함된 CHF3와 같은 식각 물질을 사용하게 된다. 하지만 CHF3를 주 시각 가스 단독으로 하여 Ar, O2 와 같은 첨가가스만으로는 우수한 식각 성능을 나타내기가 어렵다. 또한, 대부분 Fluorocarbon과 Hydrofluorocarbon 물질은 대부분 높은 GWP를 가지는 특성이 있다. 이러한 대체 식각 물질의 선정에 있어서 환경 문제도 고려해야할 사항으로 대두되고 있다. 이에 따라 본 연구에서는 GWP가 상대적으로 낮은 신규 2종의 Liquid Hydrofluorocarbon(L-HFC) 식각 물질을 기화시켜 챔버에 공급하는 방식으로 3D NAND구조에 이용되는 Dielectric 물질인 Oxide와 Nitride의 식각 특성과 함께 Mask 물질로는 ACL의 식각 특성 결과에 대한 연구결과를 보이고자 한다. |
| 저자 | 탁현우, 성다인, 홍인표, 문룡, 김동우, 염근영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | 3D NAND Etching; Plasma Etch; L-FC; L-HFC |
