| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/11 ~ 05/12, 계명대학교) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | HBr/Ar과 Cl2/Ar 플라즈마를 이용한 나노미터 크기로 패턴된 Magnetic Tunnel Junction의 건식식각 |
| 초록 | MRAM은 고속화, 고집적화가 가능하고 낮은 동작 전압과 소비전력, 비휘발성의 특성 때문에 대표적인 차세대 메모리로 주목받고 있다. 최근에 MRAM 소자의 고집적화를 위해서 MRAM의 핵심 소자인 magnetic tunnel junction (MTJ) stack의 나노미터 크기의 패턴에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 유도결합 플라즈마를 이용하여 MTJ stack의 식각특성이 Ar, HBr 그리고 Cl2 가스의 농도 변화에 따라서 조사되었다. E-beam lithography 공정을 이용하여 150 x 200 nm2 크기로 패턴된 TiN 하드마스크가 식각되었고 TiN 하드마스크를 이용하여 MTJ stack을 식각하였다. 식각된 MTJ stack은 FESEM을 이용하여 식각 프로파일이 관찰되었고 식각특성이 조사되었으며 최적의 식각공정을 살펴보았다. |
| 저자 | 민수련, 조한나, 리유에롱, 최승필, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | 건식식각; MTJ stack; HBr/Ar; Cl2/Ar |
