| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2011년 봄 (04/27 ~ 04/29, 창원컨벤션센터) |
| 권호 |
17권 1호, p.706 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
양성자 조사 및 열처리 후의 GaN와 SiC의 micro-Raman spectroscopy를 이용한 특성변화 연구 |
| 초록 |
지금까지 GaN나 SiC와 같은 widebandgap 물질과 저지구 궤도 (inner Van Allen belt)에 존재하는 고에너지 양성자와의 충돌 영향에 대해 정성적 분석이 이루어진 예는 많으나 정성 및 정량적 분석을 동시에 연구한 예는 거의 없다. 본 연구에서는 고에너지 양성자를 c-plane GaN와 SiC의 측면(sidewall)에 조사하여 양성자의 투과 깊이 및 양성자와의 충돌에 따른 케리어 (free carrier) 농도 변화를 관찰하였다. GaN조사된 양성자의 에너지 및 조사량은 각각 6 MeV, 5x1015 cm-2 이고 SiC에 조사된 양성자의 에너지는 양성자에 조사된 에너지와 동일하며 조사량은 5x1014 cm-2 이다.Raman spectra를 측정함에 있어 z(xy,xy)-z backscattering 방식을 이용하였는데 이 때 A1(LO) 모드는 반도체의 케리어 농도와 관련이 있다. 도핑(doping)되지 않은 GaN의 A1(LO)는 734 cm-1이고 SiC는 965 cm-1로 알려져 있다. 만약 케리어 농도가 높아지게 되면 A1(LO) peak의 위치가 큰 wavenumber 쪽으로 향하게 되면서 넓이 역시 커지게 되는데 이를 longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode (LPP mode)라 한다. LPP 모드의 분석을 통하여 6 MeV 양성자의 GaN와 SiC에 대한 투과 깊이를 관찰하고 시뮬레이션에 의한 계산 깊이와 비교하고 케리어 농도의 변화를 관찰하였다.또한 Rapid Thermal Annealing (RTA)를 이용하여 열처리를 통한 회복현상을 관찰하였다. |
| 저자 |
김홍렬, 김지현
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
GaN; SiC; micro-Raman spectroscopy
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| 원문파일 |
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