| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (04/22 ~ 04/23, 여수대학교) |
| 권호 | 11권 1호, p.935 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 알루미늄의 양극산화공정을 이용한 NbOx nanopillar의 형성 |
| 초록 | 최근 nanodot의 형성과 응용분야에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 현재까지 개발된 nanodot배열의 형성 기술은 습식식각, atomic force microscopy, scanning tunneling microscopy, 그리고 ion-beam을 이용하기 때문에 복잡한 공정과 고 비용이 소요되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 Al의 양극산화 공정을 이용하여 자기조립된 금속산화물을 건식식각의 식각마스크로 이용하여 nanodot을 형성하는 방법이 제안되고 있다. 본 연구에서는 Al과 Nb박막을 연속으로 증착하고, 이후 양극산화공정을 통하여 형성되는 NbOx nanopillar를 전해질에 따라 다양한 크기와 밀도로 형성하고자 하였다. 상대전극으로 Pt를 사용하였고, 황산, 옥살산, 인산을 전해질로 사용하였다. 반응기내의 온도를 일정하게 유지하기 위해 chiller에 의해 냉각되는 순환식 수조를 사용하였고 자석교반기를 이용하여 수조내 전해질을 일정한 속도로 교반해주었다. 양극산화 후 남아있는 Al2O3는 인산과 크롬산의 혼합용액을 이용한 습식식각 공정으로 제거하였다. 각각의 전해질에 따른 NbOx nanopillar의 높이는 황산의 경우 40~50 nm, 옥살산의 경우 60~80 nm, 인산의 경우 260~280 nm의 높이로 형성되었다. 형성된 NbOx nanopillar는 field emission scanning electron microscope를 이용하여 관찰하였다. |
| 저자 | 박익현, 신 별, 이장우, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | anodic aluminum oxide; NbOx nanopillar; Si nanodot |
| 원문파일 | 초록 보기 |
