| 초록 |
차세대 비휘발성 메모리 소자는 빠른 동작속도, 저전력, 고집적도 등과 같은 특성이 요구된다. 금속산화물 기반 저항변화메모리는 차세대 비휘발성 메모리 중의 하나로 금속-절연체-금속(MIM)의 간단한 구조로 되어 있고, 빠른 동작이 가능하며, 고집적 메모리 소자 제작에 유리하다. 하지만 고집적 저항변화메모리를 구현하기 위해서는 소자의 크기를 나노스케일로 제작해야 하는데, 기존의 리소그래피 기술로는 비용이 많이 들고, 시간이 오래 걸린다는 단점이 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위한 방법으로 잘 정렬되어 있으면서 나노스케일의 기공을 가진 구조물을 이용해 패턴을 만드는 방법이 있다. 특히 2단계 양극산화공정으로 제작된 anodized aluminum oxide (AAO) 나노템플레이트는 기공의 직경이 75nm 정도로 매우 작고, 1×1010 cm-2 정도의 높은 밀도를 가지고 있어 이를 이용하면 고집적 메모리 소자를 용이하게 제작할 수 있다. 본 연구에서는 ITO 하부 전극이 증착된 기판에 AAO 나노템플레이트를 mask로 이용하여, Ni 전해도금 및 산소 플라즈마를 이용한 산화열처리 공정을 진행하여 고집적도의 Ni/NiO/Ni 구조를 가진 저항변화메모리 소자를 제작하였다. 마지막으로 AAO 나노 템플레이트를 이용해 제작된 저항변화메모리 소자를 conductive AFM으로 측정하여 저항변화특성을 평가하였다. |
