| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/12 ~ 04/13, 서울대학교) |
| 권호 | 27권 1호, p.254 |
| 발표분야 | 기능성 고분자 |
| 제목 | 폴리머의 O2 플라즈마 에칭을 위한 포토레지스트의 실릴화 특성 연구 |
| 초록 | 폴리머를 이용하여 광도파로를 제작하는 방법은 기존 실리카 공정과 거의 유사하나 공정 비용 측면에서 저비용으로 제작할 수 있다. 하지만 공정중 폴리머의 재료 특성상 여러 가지 문제가 발생하여 상용화된 제품으로 나온 것은 드물다. 그중 식각 과정에서 식각용 마스크에 따라 선폭의 감소, 크랙이 발생하는 등의 문제가 있다. 본 연구에서는 포토리소그라피 공정중에서 폴리머 식각용 마스크로 기존 metal 마스크를 사용하지 않고 현상된 포토레지스트에 실릴화 반응, 즉 포토레지스트의 -OH기를 Si-O group으로 대체 시켜 O2 플라즈마 식각시 폴리머의 식각 마스크로서 역할을 할 수 있도록 하였다. 실릴화 정도는 반응 온도와 시간의 변화값에 따른 FT-IR 분석과, RIE O2 플라즈마 식각을 통하여 관찰하였다. 실릴화 반응온도 60℃, 실릴화 반응시간 30분으로 실시 하였을 경우 0.5㎛ CD loss를 가진 silylated photoresist pattern패턴을 얻었고, 이를 O2 플라즈마로 O2 40sccm, Process Pressure 60mtorr, Substrate Temperature 5℃, RF Power 210W로 10분간 식각하여 식각속도가 4800Å/min, 식각 깊이는 4.8㎛, CD loss가 0.5㎛인 폴리머 패턴을 얻었다. |
| 저자 | 이길현1, 강동수2, 김진봉, 이지훈*, 김동훈* |
| 소속 | 1전남대, 2*(주)PPI |
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