화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교)
권호 12권 2호
발표분야 반도체 재료
제목 Electron Blocking Layer를 이용한 청색 고분자 유기발광다이오드의 제작과 전기, 광학적 특성평가
초록 최근에 활발히 연구되고 있는 고분자 유기발광 다이오드(PLED)는 저분자 유기발광 다이오드(OLED)에 비해 제작이 쉽고 대형 및 휨성(Flexible)디스플레이에 응용하기에 적합하여 차세대 디스플레이로써 각광받고 있다. PFO-poss[poly(9,9-dioctylfluorene)]는 청색 고분자 발광물질로 가장 많이 쓰이고 있다. 그러나 고전압 구동에 따른 녹색발광 스펙트럼이 발생하는 경향이 있어, 본 실험에서는 EBL(Electron Blocking Layer)로써 PVK[N-vinycabozole]를 사용하여 광학적 특성을 연구하였다.

본 연구에서는 Precoated ITO(indium tin oxide)/Glass기판에 정공주입층(HIL: hole injection layer)으로 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethlenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)을 정공 수송층(HTL: hole transport layer) 및 전자 억제층(EBL : electron blocking layer)으로 PVK[N-vinycabozole]을 발광층(EML : emission layer)으로 PFO-poss[poly(9,9-dioctylfluorene)]을 스핀코팅법(spin-coationg)으로 각각 증착 하였다. 아울러 버퍼층(buffer layer)으로 LiF와 금속 전극으로 Al을 열 증착법(thermal evaporation)으로 증착하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조를 갖는 PLED 소자를 제작하였고, 이에 따른 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 아울러 PVK사용함에 따른 광학적 특성을 관찰하였다. PLED 소자의 전기적, 광학적 특성은 HP4145B Semiconductor measurement system 과 CS-1000 Spectro radiometer를 각각 이용하였다.
저자 신상배, 공수철, 장호정, 유재혁, 임현승
소속 단국대
키워드 PLED; PFO-poss; PVK
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