| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (04/25 ~ 04/27, 제주 ICC) |
| 권호 |
18권 1호, p.562 |
| 발표분야 |
에너지 |
| 제목 |
N-type silicon wafer를 사용하여 BBr3 diffusion 공정 중 Drive-in 공정 시 주입되는 O2가스와 BSG 제거와의 관련성 연구 |
| 초록 |
최근 결정질 실리콘 태양전지에 사용되는 웨이퍼의 종류를 p-type에서 n-type에 관한 연구로 많이 진행되어 지고 있다. 본 연구에서는 고효율 결정질 태양전지를 제조하기 위해 n-type 웨이퍼를 사용하여 텍스처링 및 확산공정에 대한 특성 분석을 실시하였다. 일반적으로 HF용액을 통해 PSG 제거는 쉽게 되는 반면 BSG 제거는 쉽지 않아 이를 제거하기 위한 여러방면의 식각용액에 대한 연구가 되어지고있다. 하지만 본 연구에서는 확산공정 중 drive-in step에서 O2를 주입시킴으로써 BSG를 쉽게 제거할 수 있도록 가스량을 조절하여 최적화 시키는 실험을 실시하였다. 또한 BSG 유무에 따른 광변환효율을 분석하고 특성평가를 실시하였다. |
| 저자 |
이우진, 양오봉, 권순지, 김아름, 김종일, 이범수, 이경원
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| 소속 |
전북대 |
| 키워드 |
boron doping; silicon solarcell; diffusion; BBr3; n-type
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| 원문파일 |
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