| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2019년 가을 (10/30 ~ 11/01, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 | 25권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | Si Nanostructure Etching Using Pulsed Inductively Coupled Cl2/Ar Plasma |
| 초록 | 최근 반도체 공정에서 감소하는 패턴의 크기에 따라 식각 시에 charging effect로 인한 notching, micro-trenchng, 그리고 aspect ratio dependent etching (ARDE) 등의 많은 문제점이 발생하고 있다. 이를 개선하기 위해 pulsed inductively coupled plasma (ICP)를 이용한 Si nanostructure의 식각 특성에 대한 연구를 진행하였다. 다양한 aspect ratio의 line nanostructure를 Cl2/Ar gas mixture를 사용하여 pulsed ICP etching과 continuous wave (CW) biased ICP etching 결과를 다양한 diagnostics tool을 이용해 비교하였다. |
| 저자 | 신예지, 김희주, 김교운, 오지수, 염근영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Pulsed plasma etching; Si nanosturcture; Aspect ratio dependent etch(ARDE) |
