| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교) |
| 권호 | 8권 2호, p.5198 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 고밀도 플라즈마를 사용한 polysilicon 박막의 nanometer 크기의 패터닝 |
| 초록 | 본 연구에서는 차세대 메모리인 MONOS의 gate 물질로서 사용되어지는 polysilicon 박막을 고밀도 플라즈마를 이용하는 ICP RIE(inductively coupled plasma reactive ion etcher)를 사용하여 Cl2/Ar, C2F6/Ar 그리고 HBr/Ar 식각가스의 농도에 따라 건식 식각하고, 그에 따른 식각 속도, 식각 선택도 그리고 식각 profile 등에 대한 영향을 조사하여 최적의 식각가스와 식각 조건을 찾고자 하였다. 그리고, C2F6/Ar 가스를 사용하여 초고집적 소자에서 요구되어지는 nanometer 수준의 패턴을 형성하였다. |
| 저자 | 변요한, 김혜인, 송영수, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | polysilicon; etching; ICP RIE; nanometer-sized patterning |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
