| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | B. 나노재료(Nanomaterials) |
| 제목 | Phosphorus 도핑된 ZnO의 열처리 효과 (Annealing Effect of P-Doped ZnO) |
| 초록 | 넓은 밴드갭 (3.37eV)과 큰 엑시톤 결합에너지 (60meV)를 가지는 ZnO 물질은 ultra violet light 센서 및 light emitting diode (LED)의 재료로써 많은 연구가 진행되고 있다. n-type과 p-type ZnO를 만들어 동종 접합 p-n 다이오드를 형성할 경우 접합계면간 격자상수 차이가 최소화 되어 캐리어 수송효율을 최대화 할 수 있다. 하지만 도핑 되지 않은 ZnO가 n-type 특성을 나타내기 때문에 안정적인 p-type ZnO 합성에 대한 연구가 필수적이다. Phosphorus (P)를 사용하여 도핑을 할 경우 도핑원소의 크기가 산소보다 크기 때문에 확산이 어려워 훨씬 더 안정적인 p-type 특성을 가질 수 있지만 도핑 원소를 활성화 하기 위해서 큰 에너지를 공급할 필요가 있다. 본 연구에서는 안정적인 p-type ZnO 합성을 위해서 수열합성법을 이용하여 P 도핑을 하였고, 활성화 에너지 공급을 위해서 열처리를 하였다. 열처리 온도에 따른 도핑 효과를 알아보기 위해서 x-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL) 분석을 하였고 p-n 접합 다이오드를 제작하여 rectification ratio, turn-on voltage 등의 전기적 특성을 평가하였다. |
| 저자 | 황성환, 이상훈, 문경주, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | homojunction diode; P-doped ZnO; annealing effect |
