| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 | 15권 2호 |
| 발표분야 | C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 | p형 Si에서 인(P)의 확산 |
| 초록 | Si 태양전지의 에미터를 형성하기 위하여 사용되어지고 있는 인(P)의 확산 공정을 최적화하기 위해 p-Si (100) 단결정 기판에 인(P)를 확산시키고 확산조건에 따른 확산성질을 조사하였다. 수평형 전기로에서 분말 상태의 P2O5를 도펀트 소스로 사용하여 확산 시간과 온도를 각각 10~120 분과 850~950℃의 범위에서 확산시켰다. 확산된 시료의 표면을 화학적으로 에칭하여 표면의 산화물을 제거한 후 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였고, SIMS이용하여 확산깊이에 따른 인(P)의 농도분포와 확산깊이를 분석하였다. 실험결과 확산 시간과 온도의 변수에 따라서 확산 성질이 변화 하는 것을 확인 할 수 있었다. 인(P)이 확산된 표면의 면저항은 확산 시간 60분을 기준으로 850~950℃의 확산 온도 범위에서 119~63 Ω/sq로 변화하였다. 한편, 확산 온도가 900℃일 때 10~120 분의 확산 시간 범위에서 115~62 Ω/sq로 변화하였다. 확산 온도 900℃에서 60분 동안 인(P) 확산된 시료에 대한 SIMS분석 결과로 부터 인(P)의 농도는 표면에서 약 1020 cm-3 이었고, 확산 깊이는 0.4 ㎛이었다. |
| 저자 | 신동휘1, 김태호2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | Si 단결정; 에미터; P 확산; SIMS |
