| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교) |
| 권호 | 2권 2호, p.2551 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Boron Nitride의 유기금속 화학증착에서의 반응속도론 |
| 초록 | 본 연구에서는 carrier gas로 hydrogen을, diluent gas로 argon을 사용한 TEB-NH3-H2-Ar 계를 이용해 고도의 막두께 제어가 가능한 MOCVD 방법으로 BN 박막을 증착하였다. 반응압력은 공정의 economics를 고려하여 상압에 가까운 740 torr로 하였으며 증착온도 900℃에서 1100℃ 까지의 범위에서 증착된 박막의 조성과 구조에 영향을 미치는 변수들을 살펴보고 속도론적 고찰을 통해 증착된 BN의 속도식을 구하고자 하였다. |
| 저자 | 이상열*, 이중기, 남영우*, 박달근 |
| 소속 | 한국과학기술(연) |
| 키워드 | MOCVD; BN; kinetics |
| 원문파일 | 초록 보기 |
