| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 나노 및 생체 재료 |
| 제목 | 단일전구체 Hexamethyldisilane를 이용한 SiC 박막의 성장 |
| 초록 | SiC는 전기적, 열적 특성이 우수하여 고온, 고주파, 고출력 반도체 소자로서 주목 받고 있다. 또한 우수한 물리적, 화학적 특성을 가지고 있어 고온과 부식성 환경 등 열악한 환경에서도 작동 가능한 소자재료로서 개발이 이루어지고 있다. Si와 C가 동시에 함유된 단일전구체를 이용하여 박막성장을 시키는 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 기존에 Si 와 C를 각각의 전구체 (SiH4, SiCl4, CH4, CH2 등)를 사용하여 SiC 박막을 성장시키는 경우, 약 1200~1400°C 정도의 온도에서 공정이 이루어져 왔으나 Si와 C가 동시에 함유된 단일전구체를 사용하여 박막성장을 시키는 연구가 진행됨에 따라 1000°C 미만의 온도에서 우수한 결정질을 가지는 박막의 제조가 보고되고 있으며, 박막성장을 위한 다양한 단일전구체의 개발과 그 응용연구가 진행되고 있다. 따라서 본 연구에서는 Si와 C가 같이 함유된 단일전구체인 HMDS(Hexamethyldisilane)를 이용하여 SiC를 증착시키고 그 구조적, 광학적 특성을 평가하였다. This research was supported by a grant(code #:04K1501-031110) from 'Center of Nanostructured Materials Technology' under '21st Century Frontier R&D Programs' of Ministry of Science and Technology, Korea. |
| 저자 | 이정휴1, 이경훈1, 김재수2 |
| 소속 | 1서울산업대, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 | HMDS; SiC; CVD |
