| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 기타 |
| 제목 | 단일전구체를 이용한 SiC 박막의 성정과 특성평가 |
| 초록 | SiC는 높은 포화이동속도, 전자이동도, 내방사선 특성 등 우수한 전기적 특성과 더불어, 내화학성, 고온․고압 안정성을 가지므로 고온, 고주파수, 고출력용 소자로 사용되고 있다. 또한 Si 기판과의 mismatch가 적어 GaN, GaAs 보다 양질의 결정성을 가지는 박막을 얻을 수 있다. 대부분의 CVD 공정에서는 Si와 C을 다른 원료 공급원으로부터 공급하기 때문에 1100~1300℃의 온도에서 장시간 유지하여 SiC 박막을 성장시키게 된다. 이 경우, Si의 열피로 현상에 의하여 crack과 결함들을 유도하게 된다. 따라서 본 연구에서는 Si와 C가 같이 함유된 단일 전구체인 HMDS를 이용하여 SiC를 증착시키고 그 구조적, 광학적 특성을 평가하였다. This research was supported by a grant(code #:o4K1501-03110) from 'Center of Nanostructureed Materials Technology' under '21st Century Frontier R&D Programs' of Ministry of Science and Technology, Korea. |
| 저자 | 김나리1, 김재수2, 변동진1, 이재훈3, 양재웅4, 노대호1, 진정근1 |
| 소속 | 1고려대, 2한국과학기술(연), 3한국생산기술(연), 4대진대 |
| 키워드 | 0000 |
