| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교) |
| 권호 |
8권 2호, p.5350 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
SiC상의 무전해 Ni-P 도금시 마이크로파 에칭의 영향에 관한 연구 |
| 초록 |
A simple and short microwave-enhanced wet chemical etching process of SiC particles has been developed for electroless Ni-P plating, and the etching effects are investigated by using BET surface area analysis, SEM, XPS and XAFS. The results indicate that the microwave etching for only 30 sec gives the formation of surface oxide species, which leads increas in BET surface area of the SiC sample. The modified SiC surfaces are suitable for the electroless Ni-P plating and the Ni-P deposit thus obtained exhibit excellent chemical and mechanical adhesion strength. |
| 저자 |
이승환, 강민, 이형익, 김지만, 이재의, 김영길
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| 소속 |
아주대 |
| 키워드 |
electroless Ni-P plating; microwave wet etching; SiC particle
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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