| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 플라스틱 기판 위에 SiO2 Overlayer와 엑시머 레이저 결정화를 이용한 저온 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 결정립 성장 연구 |
| 초록 | 비정질 실리콘 박막트랜지스터와 다결정 박막트랜지스터는 채널(channel)의 구성물질로서 구분한다. 다결정 박막트랜지스터는 높은 표면전하이동도를 가지고 CMOS공정이 가능하여 구동회로를 포함한 능동구동(Active Matrix)형 디스플레이 소자로 주목받고 있다. 그리고 결정화 과정에서 결정립의 성장과 방향제어 가장 큰 성능향상 요인으로 작용한다. 본 연구에서는 비정질 실리콘의 광범위 레이저 결정화가 아닌 채널의 선택적인 결정화로 결정립의 성장과 크기를 제어하는 법을 연구하고자 한다. 우선 플라스틱 기판위에 RF Sputter로 비정질 실리콘을 50nm증착하고 SiO2 Overlayer를 50nm에서 200nm로 두께별로 증착한 후 308nm XeCl 엑시머 레이저로 300mJ/cm2에서 400mJ/cm2의 에너지로 결정화 하였다. 그리고 채널부분의 결정립의 성장과 그 크기를 광학현미경과 SEM측정을 통하여 확인하였다. 그 결과 50nm 두께의 SiO2 Overlayer와 360mJ/cm2의 에너지에서 두께 분포가 가장 고른 결정성장을 보였다. 또한 SiO2 Overlayer를 채널을 기준으로 하여 Positive와 Negative 형태로 증착하여 결정화하고 그 결과를 토대로 SiO2 Overlayer가 증착된 지역에서 그렇지 않은 지역으로의 결정 성장을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 정현석1, 정관수1, 김영훈2, 김원근2, 한정인2 |
| 소속 | 1경희대, 2전자부품(연) |
| 키워드 | LTPS; SiO2 Overlayer; ELC |
