| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (04/22 ~ 04/24, 제주 ICC) |
| 권호 | 21권 1호, p.823 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Effect of bias voltage on the angular dependence of SiO2 etch rates in C4F8 plasmas |
| 초록 | 반도체 제조공정에서 SiO2의 contact hole과 via hole 식각은 가장 중요한 공정 중의 하나이다. SiO2 식각에서 높은 종횡비를 유지하며 식각형상을 정교하게 조절하기 위해서는 SiO2 식각속도의 각도의존성을 파악하는 것이 중요하다. SiO2 식각속도의 각도의존성은 플라즈마의 공정변수에 따라 달라지며, 높은 종횡비의 식각 구조물을 구현하기 위해서는 식각속도의 각도의존성 분석이 필수적이다. 본 연구에서는 C4F8 플라즈마에서 입사이온의 각도에 따른 SiO2 식각속도의 각도의존성을 알아보았다. 플라즈마의 공정변수인 bias voltage 변화가 SiO2 식각속도에 미치는 영향을 알아보기 위해 bias voltage를 –400 V에서부터 –1200 V까지 다양하게 변화시켰다. SiO2 식각속도의 각도의존성은 SiO2 표면에 형성된 steady-state 불화탄소 박막의 두께 및 F/C ratio 변화를 통해 분석하였다. |
| 저자 | 김준현, 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | angular dependence; SiO2 etch rate; C4F8 plasma; Faraday cage; bias voltage |
| 원문파일 | 초록 보기 |
