| 초록 |
차세대 반도체 및 전자 재료 구조물인 보론 나이트라이드 나노튜브(Boron Nitride Nanotube, BNNT)와 실리콘 카바이드 나노튜브(Silicon Carbide Nanotube, SiCNT)는 압축시 상이한 비선형적 좌굴 특성을 보인다. 본 연구에서는 분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 압축 하 BNNT와 SiCNT의 좌굴 특성에 관한 원자단위 연구를 수행하였다. (10,10)의 격자 변환 벡터를 갖는 10~25 nm 길이의 BNNT와 SiCNT 모델을 설정하고, Tersoff 포텐셜을 사용하여 원자간 힘을 정의하였다. Conjugate Gradient 기법을 사용하여 자연상태의 원자 모델을 모사하고, NVT와 NPT 앙상블 과정을 통하여 1 K의 온도를 설정하였다. 압축 시 0.0005 /ps의 변형률 속도를 적용하였다. 시뮬레이션 결과, BNNT는 국부 좌굴 영역에서는 SiCNT보다 높은 좌굴 강도를 갖는 대신에 국부 좌굴 영역의 길이가 짧은 것으로 나타났다. 반면에 SiCNT는 BNNT보다 상대적으로 낮은 좌굴 강도를 갖는 대신에 긴 국부 좌굴 영역을 갖는 것으로 확인되었다. Acknowledgement 이 논문은 2015 년도 정부(교육부)의 재원으로 한국연구재단의 지원을 받아 수행된 기초연구사업임 (NRF-2015R 1D 1A 1A01056866). |
